Японы Засгийн газар шинэ үеийн хоёр нанометрийн хагас дамжуулагч хөгжүүлэх зорилгоор АНУ-тай хамтарсан судалгааны төв байгуулахад 2.4 тэрбум ам.доллар зарцуулахаар төлөвлөж буй тухай “Nikkei” сонин мэдээлэв.
Тус хоёр улсын Гадаад бодлого, эдийн засгийн газрын удирдлагууд өнгөрсөн долдугаар сарын сүүлчээр “2+2” форматаар хэлэлцээ хийснээр ийм тохиролцоонд хүрчээ. Судалгааны төвийг энэ онд багтаан байгуулахаар төлөвлөж байна. Төсөлд Токиогийн их сургууль, Японы үндэсний дэвшилтэт үйлдвэрлэлийн шинжлэх ухаан, технологийн хүрээлэн, байгалийн шинжлэх ухааны “Рикэн” хүрээлэн болон хэд хэдэн компани оролцох аж. Америкийн IBM корпорац уг төсөлд оролцох нэр дэвшигчдийн нэг.
Японы эрх баригчид хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэл эрхэлдэг компаниудад 3.07 тэрбум ам.долларыг тусламж хэлбэрээр олгохоор төлөвлөж байна. Нэмээд 2.52 тэрбумыг цахиурын хагас дамжуулагч хавтан, цахиурын карбид зэрэг чип үйлдвэрлэхэд шаардлагатай материал нийлүүлэх сүлжээг бэхжүүлэхэд зориулахаж. Холбогдох зардлыг энэ санхүүгийн жилийн нэмэлт хоёр дахь төсвийн тодотголд тусгажээ. Технологийн салбарт хөрөнгө оруулахаа Японы Ерөнхий сайд Фүмио Кишида өмнө нь мэдэгдэж байсан билээ.
